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FII30-12E图片1

FII30-12E概述

NPT3 IGBT

IGBT 阵列 NPT 半桥 1200 V 33 A 150 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

FII30-12E中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.2nF @25V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FII30-12E

型号： FII30-12E

制造商： IXYS Semiconductor

描述：NPT3 IGBT