特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ)•到FJV3114R补
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=4.7KΩ, R2=47KΩ • Complement to FJV3114R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ) •到FJV3114R补
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 68
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FJV4114RMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2132LT1G 安森美 | 功能相似 | FJV4114RMTF和MMUN2132LT1G的区别 |
MMUN2133LT1G 安森美 | 功能相似 | FJV4114RMTF和MMUN2133LT1G的区别 |
DTA143ZET1G 安森美 | 功能相似 | FJV4114RMTF和DTA143ZET1G的区别 |