IGBT Transistors 50A 1200V
IGBT 阵列 NPT 半桥 1200 V 50 A 200 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™
得捷: IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
贸泽: IGBT Transistors 50 Amps 1200V
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 2nF @25V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 i4-Pac-5
长度 19.91 mm
宽度 5.03 mm
高度 20.88 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册