FJX597JBTF N沟道结型场效应管 20v 0.15~0.24mA SOT-323 marking/标记 SCB radio
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -20v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 0.15~0.24ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.6~-1.5v 耗散功率PdPower Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| Si N-channel Junction FET •Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones • Excellent Voltage Characteristic • Excellent Transient Characteristic 描述与应用| 硅晶体N沟道结型场效应管 •特别适合用于音频,电话电容话筒 •优秀的电压特性 •出色的瞬态特性
贸泽:
JFET Sil N-Ch Junct FET
艾睿:
Trans JFET N-CH 1mA Si 3-Pin SOT-323 T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 1mA Si 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
Capacitor Microphone Applications
额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.00 mA
极性 N-Channel
耗散功率 100 mW
漏源极电压Vds 20.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 mA
击穿电压 20 V
输入电容Ciss 3.5pF @5VVds
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
高度 0.9 mm
封装 SOT-323
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99