FJZ594JBTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 J1B 电池保护/低栅极电荷/高速开关
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage|
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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20v
最大漏极电流Id Drain Current| 1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance|
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W
Description & Applications| Si N-channel Junction FET • Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones • Excellent Voltage Characteristic • Excellent Transient Characteristic
描述与应用| N沟道结型场效应管 特别适合用于音频，电话电容话筒 •优秀的电压特性 •出色的瞬态特性
额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.00 mA
极性 N-Channel
耗散功率 100 mW
栅源击穿电压 20 V
击穿电压 20 V
输入电容Ciss 3.5pF @5VVds
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-623
高度 0.6 mm
封装 SOT-623
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free