1个NPN-预偏置 100mA 50V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
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额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJN3305RTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJN3305RBU 安森美 | 功能相似 | FJN3305RTA和FJN3305RBU的区别 |