FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJV1845FMTF 单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE
The is a NPN silicon epitaxial Bipolar Transistor suitable for amplifier applications. It offers 50mA collector current and 300mW collector dissipation.
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
NPN 120 V 50 mA 300 mW Surface Mount Amplifier Transistor - SOT-23
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJV1845FMTF Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE
Win Source:
TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 120V 50MA SOT-23
频率 100 MHz
额定电压DC 120 V
额定电流 50.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 1200
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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