FJV1845FMTF

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FJV1845FMTF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJV1845FMTF  单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE

The is a NPN silicon epitaxial Bipolar Transistor suitable for amplifier applications. It offers 50mA collector current and 300mW collector dissipation.

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Complement to FJV992

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor


艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
NPN 120 V 50 mA 300 mW Surface Mount Amplifier Transistor - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJV1845FMTF  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE


Win Source:
TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 120V 50MA SOT-23


FJV1845FMTF中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 120 V

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 1200

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV1845FMTF
型号: FJV1845FMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJV1845FMTF  单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE
替代型号FJV1845FMTF
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