NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1V 耗散功率PcPower Dissipation| 325mW/0.325W Description & Applications| General Purpose Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = 40V Collector Dissipation: PC max = 325mW 描述与应用| 通用 集电极-发射极电压VCEO= 40V 集电极耗散：PC（最大值）=325MW
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.325 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 325 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 325 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJX2222ATF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT2222AWT1G 安森美 | 功能相似 | FJX2222ATF和MMBT2222AWT1G的区别 |
MMBT2222ALT3G 安森美 | 功能相似 | FJX2222ATF和MMBT2222ALT3G的区别 |
MMST2222A-7-F 美台 | 功能相似 | FJX2222ATF和MMST2222A-7-F的区别 |