FJV1845EMTF

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FJV1845EMTF中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 120 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 400 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 1200

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.04 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV1845EMTF
型号: FJV1845EMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号FJV1845EMTF
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