FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor with bias built-in bias resistors can be excellent space solution by reducing component count and simplifying circuit design.
得捷:
0.1A, 50V, NPN
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 0.78 mm
封装 SOT-523
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FJY3002R Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5235T1G 安森美 | 功能相似 | FJY3002R和MUN5235T1G的区别 |
DTC123EM3T5G 安森美 | 功能相似 | FJY3002R和DTC123EM3T5G的区别 |
PDTC123JU,115 安世 | 功能相似 | FJY3002R和PDTC123JU,115的区别 |