FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
公司的是一个表面安装的N沟道逻辑电平加强模式数字FET, SOT-23封装. 此设备具有高密度, DMOS技术, 量身设计以最小化通导电阻并保持低栅极驱动条件. 甚至当栅极驱动电压低至2.5V时, 此设备具有卓越的通导电阻, 设计用于电池电路, 电路可采用一块锂电池,或三个镉电池,或NHM电池, 另有逆变器, 高效微型离散直流/直流转换器位于如移动电话和传呼机等电子设备.
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- 漏极至源极电压: 25V
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- 栅-源电压：8V
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- 持续漏电流ld: 680mA
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- 功率耗散: 350mW
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- 低导通电阻: 330mohm, Vgs 4.5V
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- 工作温度范围: -55°C至150°C
额定电压DC 25.0 V
额定电流 680 mA
额定功率 350 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 8.00 V
连续漏极电流Ids 680 mA
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDV303N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDV303N_NB9U008 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDV303N和FDV303N_NB9U008的区别 |
BSH103,215 恩智浦 | 功能相似 | FDV303N和BSH103,215的区别 |
RJK005N03T146 罗姆半导体 | 功能相似 | FDV303N和RJK005N03T146的区别 |