PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~240 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -180mV/-0.18V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Low Frequency Amplifier • Collector-Base Voltage VCBO= -60V • Complement to FJX945 描述与应用| 低频放大器 •集电极 - 基极电压VCBO=-60V •FJX945补
得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SC70
欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323
频率 180 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FJX733YTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5087LT3G 安森美 | 功能相似 | FJX733YTF和MMBT5087LT3G的区别 |
MMBT5087LT1 安森美 | 功能相似 | FJX733YTF和MMBT5087LT1的区别 |