FPNH10概述
NPN晶体管RF NPN RF Transistor
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3
得捷:
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN/ 25V/ 50mA
艾睿:
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
FPNH10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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