PNP外延硅晶体管与偏置电阻 PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=10KΩ, R2=47KΩ • Complement to FJX3006R
得捷:
0.1A, 50V, PNP
立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJX4006RTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2111LT1G 安森美 | 功能相似 | FJX4006RTF和MMUN2111LT1G的区别 |
MUN5111T1G 安森美 | 功能相似 | FJX4006RTF和MUN5111T1G的区别 |