FJN4303RBU

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FJN4303RBU概述

1个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-92 Bulk


FJN4303RBU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJN4303RBU
型号: FJN4303RBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:1个PNP-预偏置 100mA 50V
替代型号FJN4303RBU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJN4303RBU

Fairchild 飞兆/仙童

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