FJN3304RTA概述
1个NPN-预偏置 100mA 50V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo
FJN3304RTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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