FJN3310RBU概述
1个NPN-预偏置 100mA 40V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 40V
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin TO-92 Bulk
FJN3310RBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FJN3310RBU
替代型号FJN3310RBU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJN3310RBU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |