FJN4310RTA

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FJN4310RTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJN4310RTA
型号: FJN4310RTA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial
替代型号FJN4310RTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJN4310RTA

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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FJN4310RTA和FJN4310RBU的区别

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