FJV4103RMTF

FJV4103RMTF图片1
FJV4103RMTF图片2
FJV4103RMTF图片3
FJV4103RMTF图片4
FJV4103RMTF图片5
FJV4103RMTF图片6
FJV4103RMTF图片7
FJV4103RMTF图片8
FJV4103RMTF图片9
FJV4103RMTF概述

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ)•到FJV3103R补

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 56 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=22KΩ, R2=22KΩ • Complement to FJV3103R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ) •到FJV3103R补

FJV4103RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 56

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV4103RMTF
型号: FJV4103RMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ)•到FJV3103R补
替代型号FJV4103RMTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJV4103RMTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

DTA124EKAT146

罗姆半导体

功能相似

FJV4103RMTF和DTA124EKAT146的区别

MUN2112T1G

安森美

功能相似

FJV4103RMTF和MUN2112T1G的区别

BCR191E6327HTSA1

英飞凌

功能相似

FJV4103RMTF和BCR191E6327HTSA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台