1个NPN-预偏置 100mA 50V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92S
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92S Ammo
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92S Ammo
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 20
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4 mm
宽度 2.31 mm
高度 3.7 mm
封装 TO-226-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJNS3201RTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJNS3201RBU 飞兆/仙童 | 完全替代 | FJNS3201RTA和FJNS3201RBU的区别 |