FJNS3208RBU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 56
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 2.31 mm
高度 3.7 mm
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FJNS3208RBU
型号： FJNS3208RBU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/47K/22K