双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar BJT Transistor NPN 50 V 100 mA 250MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 20
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJN3301RTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJN3301RBU 飞兆/仙童 | 完全替代 | FJN3301RTA和FJN3301RBU的区别 |
MMUN2232LT1G 安森美 | 功能相似 | FJN3301RTA和MMUN2232LT1G的区别 |
MMUN2232LT1 安森美 | 功能相似 | FJN3301RTA和MMUN2232LT1的区别 |