PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 325mW/0.325W Description & Applications| General Purpose Transistor 描述与应用| 通用
频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 0.325 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 325 mW
耗散功率Max 325 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FJX2907ATF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT2907AWT1G 安森美 | 功能相似 | FJX2907ATF和MMBT2907AWT1G的区别 |
MMST2907A-7-F 美台 | 功能相似 | FJX2907ATF和MMST2907A-7-F的区别 |