FDV304P

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FDV304P概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -460mA/-0.46A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.87Ω @-500mA,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.65--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGSth < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS(TH)<1.5V 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装

FDV304P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -460 mA

额定功率 350 mW

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.22 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 -25.0 V

连续漏极电流Ids 460 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 63pF @10VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Power Management, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FDV304P引脚图与封装图
FDV304P引脚图
FDV304P封装图
FDV304P封装焊盘图
在线购买FDV304P
型号: FDV304P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV
替代型号FDV304P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDV304P

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDV304P_D87Z

飞兆/仙童

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FDV304P_NB8U003

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BSH202,215

恩智浦

功能相似

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