FM24W256-G

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM24W256-G  芯片, 存储器, FRAM, 256K, I2C, 8SOIC

F-RAM，

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

立创商城:
FM24W256-G

得捷:
IC FRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC

欧时:
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贸泽:
F-RAM IIC FRAM 256k 3-5V F-RAM

e络盟:
芯片, 存储器, FRAM, 256K, I2C, 8SOIC

艾睿:
FRAM 256Kbit Serial-I2C Interface 3.3V/5V 8-Pin SOIC N Tube

安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 256K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC

Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 256K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC

TME:
Memory; FRAM; I2C; 32kx8bit; 256kbit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO8

Verical:
FRAM 256Kbit Serial-I2C Interface 3.3V/5V 8-Pin SOIC Tube

Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM24W256-G  FRAM, 256K, I2C, 8SOIC

力源芯城:
256-Kbit 32K x 8串行I2C F-RAM

Win Source:
IC FRAM 256KBIT 1MHZ 8SOIC