FM25CL64B-G

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FM25CL64B-G概述

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


立创商城:
FM25CL64B-G


欧时:
Cypress Semiconductor FM25CL64B-G 64kbit SPI FRAM 存储器, 8K x 8 位, 2.7 → 3.65 V, -40 → +85 °C


得捷:
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC


艾睿:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC


安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
FRAM 64Kbit Serial-SPI 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC Tube


TME:
Memory; FRAM; SPI; 8kx8bit; 64kbit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; SO8


Verical:
FRAM 64Kbit Serial-SPI Interface 3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  FRAM, 64K, SPI, 8SOIC


Win Source:
IC FRAM 64KBIT 20MHZ 8SOIC


FM25CL64B-G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

供电电流 3 mA

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

耗散功率 1 W

内存容量 8000 B

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.65V

电源电压Max 3.65 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.98 mm

宽度 3.987 mm

高度 1.478 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FM25CL64B-G引脚图与封装图
FM25CL64B-G引脚图
FM25CL64B-G封装图
FM25CL64B-G封装焊盘图
在线购买FM25CL64B-G
型号: FM25CL64B-G
描述:CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC
替代型号FM25CL64B-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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