F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
### FRAM(铁电 RAM)
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
得捷:
IC FRAM 512KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
立创商城:
FM25V05-G
欧时:
### F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
贸泽:
F-RAM 512K 64KX8 3.3V F-RAM
e络盟:
铁电存储器FRAM, 512 Kbit64K x 8SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8
艾睿:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC
安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC
Verical:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC
Win Source:
IC FRAM 512KBIT 40MHZ 8SOIC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FM25V05-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
FM25V05-GTR 赛普拉斯 | 完全替代 | FM25V05-G和FM25V05-GTR的区别 |
FM18W08-SG 赛普拉斯 | 功能相似 | FM25V05-G和FM18W08-SG的区别 |
FM16W08-SG 赛普拉斯 | 功能相似 | FM25V05-G和FM16W08-SG的区别 |