F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
立创商城:
FM22L16-55-TG
欧时:
F-RAM,Cypress Semiconductor铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
艾睿:
FRAM 4Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II Tray
安富利:
NVRAM FRAM Parallel 4M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 4Mbit 3.3V 44-Pin TSOP-II
TME:
Memory; FRAM; parallel 16bit; 256kx16bit; 4Mbit; 2.7÷3.6VDC; 55ns
Verical:
FRAM 4Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II Tray
Win Source:
IC FRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
工作电压 2.7V ~ 3.6V
供电电流 18 mA
针脚数 44
时钟频率 40 MHz
存取时间 55 ns
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
长度 18.41 mm
宽度 10.16 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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