FM24V05-G

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FM24V05-G概述

FM24V 系列 512 Kb 64K x 8 3 V 450 us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗


立创商城:
FM24V05-G


得捷:
IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC


欧时:
Cypress Semiconductor FM24V05-G 512kbit 串行 - I2C FRAM 存储器, 64K x 8 位, 2 → 3.6 V, -40 → +85 °C


贸泽:
F-RAM 512K 64KX8 3.3V F-RAM


e络盟:
铁电存储器FRAM, 512 Kbit64K x 8I2C, 3.4 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8


艾睿:
FRAM 512Kbit Serial-I2C Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 512K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 512Kbit 3V/3.3V 8-Pin SOIC Tube


TME:
Memory; FRAM; I2C; 64kx8bit; 512kbit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8


Verical:
FRAM 512Kbit Serial-I2C Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC Tube


Win Source:
IC FRAM 512KBIT 3.4MHZ 8SOIC


FM24V05-G中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1 mA

针脚数 8

时钟频率 3.4 MHz

存取时间 130 ns

存取时间Max 450 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.97 mm

宽度 3.98 mm

高度 1.47 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

FM24V05-G引脚图与封装图
FM24V05-G引脚图
FM24V05-G封装图
FM24V05-G封装焊盘图
在线购买FM24V05-G
型号: FM24V05-G
描述:FM24V 系列 512 Kb 64K x 8 3 V 450 us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8
替代型号FM24V05-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FM24V05-G

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

FM24V10-G

赛普拉斯

完全替代

FM24V05-G和FM24V10-G的区别

FM24V10-GTR

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