FM24V 系列 512 Kb 64K x 8 3 V 450 us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
立创商城:
FM24V05-G
得捷:
IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
欧时:
Cypress Semiconductor FM24V05-G 512kbit 串行 - I2C FRAM 存储器, 64K x 8 位, 2 → 3.6 V, -40 → +85 °C
贸泽:
F-RAM 512K 64KX8 3.3V F-RAM
e络盟:
铁电存储器FRAM, 512 Kbit64K x 8I2C, 3.4 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8
艾睿:
FRAM 512Kbit Serial-I2C Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC Tube
安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 512K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 512Kbit 3V/3.3V 8-Pin SOIC Tube
TME:
Memory; FRAM; I2C; 64kx8bit; 512kbit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Verical:
FRAM 512Kbit Serial-I2C Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC Tube
Win Source:
IC FRAM 512KBIT 3.4MHZ 8SOIC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FM24V05-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
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