FM24VN10-G

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FM24VN10-G概述

FM24V 系列 1 M 位 128K x 8 3 V 450 us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


得捷:
IC FRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC


立创商城:
FM24VN10-G


欧时:
### F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


贸泽:
F-RAM 1M 128Kx8 2.0-3.6V F-RAM


e络盟:
铁电RAM FRAM, 1Mbit, 128K x 8位, I2C, 3.4MHz, 2V至3.6V电源, SOIC-8


艾睿:
FRAM 1Mbit Serial-I2C Interface 3.3V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 1M-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 1Mbit 3V/3.3V 8-Pin SOIC


TME:
Memory; FRAM; I2C; 128kx8bit; 1Mbit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8


Verical:
FRAM 1Mbit Serial-I2C Interface 3.3V 8-Pin SOIC Tube


FM24VN10-G中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1 mA

针脚数 8

时钟频率 3.4 MHz

存取时间Max 450 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.98 mm

宽度 3.987 mm

高度 1.478 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FM24VN10-G引脚图与封装图
FM24VN10-G引脚图
FM24VN10-G封装图
FM24VN10-G封装焊盘图
在线购买FM24VN10-G
型号: FM24VN10-G
描述:FM24V 系列 1 M 位 128K x 8 3 V 450 us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8
替代型号FM24VN10-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FM24VN10-G

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

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FM24V10-G

赛普拉斯

完全替代

FM24VN10-G和FM24V10-G的区别

FM24V10-GTR

赛普拉斯

完全替代

FM24VN10-G和FM24V10-GTR的区别

FM24V05-G

赛普拉斯

完全替代

FM24VN10-G和FM24V05-G的区别

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