FM25V20A-G

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FM25V20A-G概述

FM25V20A 系列 2-Mb 256 K × 8 3.6 V 40 MHz 串行 SPI F-RAM - SOIC-8

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


立创商城:
FM25V20A-G


得捷:
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC


欧时:
Cypress Semiconductor FM25V20A-G 2Mbit SPI FRAM 存储器, 256K x 8 位, 2 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 8引脚


贸泽:
F-RAM 2Mb, 40Mhz, 256K x 8 SPI FRAM


艾睿:
FRAM 2Mbit Serial-SPI Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC EIAJ Tube


安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 2M-Bit 3.3V 8-Pin SOIC


TME:
Memory; FRAM; SPI; 256kx8bit; 2Mbit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8


Verical:
FRAM 2Mbit Serial-SPI Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC EIAJ Tube


Win Source:
IC FRAM 2MBIT SER 40MHZ 8SOIC


FM25V20A-G中文资料参数规格
技术参数

供电电流 3 mA

针脚数 8

时钟频率 40 MHz

存取时间Max 16 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.33 mm

宽度 5.33 mm

高度 1.78 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FM25V20A-G
型号: FM25V20A-G
描述:FM25V20A 系列 2-Mb 256 K × 8 3.6 V 40 MHz 串行 SPI F-RAM - SOIC-8
替代型号FM25V20A-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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