FM25CL64B-GA

FM25CL64B-GA图片1
FM25CL64B-GA图片2
FM25CL64B-GA图片3
FM25CL64B-GA图片4
FM25CL64B-GA图片5
FM25CL64B-GA图片6
FM25CL64B-GA图片7
FM25CL64B-GA图片8
FM25CL64B-GA图片9
FM25CL64B-GA图片10
FM25CL64B-GA图片11
FM25CL64B-GA图片12
FM25CL64B-GA图片13
FM25CL64B-GA图片14
FM25CL64B-GA概述

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-GA  芯片, FRAM, 64KBIT, 16MHZ, 8SOIC

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


得捷:
IC FRAM 64KBIT SPI 16MHZ 8SOIC


欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory Fast write speed High endurance Low power consumption ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


艾睿:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64Kbit 3.3V Automotive 8-Pin SOIC


安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC


富昌:
FM25CL64B 系列 64 Kb 8 K x 8 3.3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC


Verical:
FRAM 64Kbit Serial-SPI Interface 3.3V Automotive 8-Pin SOIC Tube


FM25CL64B-GA中文资料参数规格
技术参数

频率 16 MHz

供电电流 3 mA

针脚数 8

时钟频率 16 MHz

存取时间 25 ns

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.98 mm

宽度 3.987 mm

高度 1.478 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FM25CL64B-GA
型号: FM25CL64B-GA
描述:CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-GA  芯片, FRAM, 64KBIT, 16MHZ, 8SOIC
替代型号FM25CL64B-GA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FM25CL64B-GA

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

FM25CL64B-GATR

赛普拉斯

类似代替

FM25CL64B-GA和FM25CL64B-GATR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台