CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25CL64B-GA 芯片, FRAM, 64KBIT, 16MHZ, 8SOIC
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
### FRAM(铁电 RAM)
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
得捷:
IC FRAM 64KBIT SPI 16MHZ 8SOIC
欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory Fast write speed High endurance Low power consumption ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
艾睿:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64Kbit 3.3V Automotive 8-Pin SOIC
安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC
富昌:
FM25CL64B 系列 64 Kb 8 K x 8 3.3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 64K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC
Verical:
FRAM 64Kbit Serial-SPI Interface 3.3V Automotive 8-Pin SOIC Tube
频率 16 MHz
供电电流 3 mA
针脚数 8
时钟频率 16 MHz
存取时间 25 ns
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.987 mm
高度 1.478 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FM25CL64B-GA Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
FM25CL64B-GATR 赛普拉斯 | 类似代替 | FM25CL64B-GA和FM25CL64B-GATR的区别 |