FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY301NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V
The is a single N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS = 2.5V. It is suitable for Li-ion battery pack application.
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
贸泽:
MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SOT-523F T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
富昌:
FDY301NZ 系列 20 V 5 Ohm N沟道 指定 PowerTrench Mosfet - SC89-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; 0.625W; SOT523
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SOT-523F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY301NZ MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V
Online Components:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-89-6
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 0.78 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99