F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
得捷:
IC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
立创商城:
FM25L04B-G
欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
艾睿:
FRAM 4Kbit Serial-SPI Interface 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 4K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
FRAM 4Kbit Serial-SPI 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC Tube
TME:
Memory; FRAM; SPI; 512x8bit; 4kbit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Verical:
FRAM 4Kbit Serial-SPI Interface 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC Tube
力源芯城:
4-Kbit512×8串行SPIF-RAM
供电电流 3 mA
针脚数 8
时钟频率 20 MHz
存取时间Max 20 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.987 mm
高度 1.478 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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