F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
立创商城:
FM25W256-G
得捷:
IC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
欧时:
### F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
贸泽:
F-RAM SPI FRAM 256k 3-5V
艾睿:
FRAM 256Kbit Serial-SPI Interface 3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 256K-Bit 3.3V/5V 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 256Kbit 3.3V/5V Automotive 8-Pin SOIC
TME:
Memory; FRAM; SPI; 32kx8bit; 256kbit; 2÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Verical:
FRAM 256Kbit Serial-SPI Interface 3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25W256-G FRAM, 256K, SPI, 8SOIC
Win Source:
IC FRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC
频率 20 MHz
电源电压DC 2.70V min
额定电流 6 A
供电电流 2 mA
针脚数 8
时钟频率 20 MHz
存取时间 20 ns
内存容量 32000 B
存取时间Max 20 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.987 mm
高度 1.478 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 嵌入式设计与开发, Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FM25W256-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
FM25W256-GTR 赛普拉斯 | 完全替代 | FM25W256-G和FM25W256-GTR的区别 |
FM25L256B-G Ramtron | 功能相似 | FM25W256-G和FM25L256B-G的区别 |