N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
汽车双 N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
极性 N-CH
耗散功率 0.3 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 0.22A
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 9.5pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDG6301N_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6301N 安森美 | 类似代替 | FDG6301N_F085和FDG6301N的区别 |
FDG6301N_NL 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG6301N_F085和FDG6301N_NL的区别 |
NTJD5121NT1G 安森美 | 功能相似 | FDG6301N_F085和NTJD5121NT1G的区别 |