FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FZT649 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益
频率 150 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 4
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FZT649 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT649TA 美台 | 功能相似 | FZT649和FZT649TA的区别 |
FZT649TC 美台 | 功能相似 | FZT649和FZT649TC的区别 |