FZT658

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FZT658概述

DIODES INC.  FZT658  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 2 W, 500 mA, 50 hFE

The is a NPN silicon planar high voltage Bipolar Transistor offers 500mA high continuous current and less-than 250mV low saturation voltage VCE SAT @ 50mA.

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UL94V-0 Flammability rating
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1A Peak pulse current
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hFE>40 Specified up to 200mA for high current gain hold-up
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PNP complement is FZT758
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Halogen-free, Green device
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-55 to 150°C Operating temperature range
FZT658中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.5A

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Automotive, Industrial, Military, Defence, Aerospace, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买FZT658
型号: FZT658
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  FZT658  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 2 W, 500 mA, 50 hFE
替代型号FZT658
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FZT658

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

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