FS50R12W2T4概述
INFINEON FS50R12W2T4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module
Summary of Features:
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- Low Switching Losses
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- Trench IGBT 4
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- VCEsat with positive Temperature Coefficient
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- Low VCEsat
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- Al2O3 Substrate with Low Thermal Restistance
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- Compact Design
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- Solder Contact Technology
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- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Benefits:
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- Compact module concept
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- Optimized customer’s development cycle time and cost
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- Configuration flexibility
FS50R12W2T4中文资料参数规格
技术参数
额定功率 335 W
针脚数 18
极性 N-Channel
耗散功率 335 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 18
封装 AG-EASY2B-1
外形尺寸
封装 AG-EASY2B-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
制造应用 Air Conditioning System, Drives, Uninterruptible Power Supply UPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
FS50R12W2T4引脚图与封装图 
在线购买FS50R12W2T4
型号： FS50R12W2T4
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON FS50R12W2T4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module