QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a 100V N-channel QFET® MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
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- Low gate charge typical 38nC
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- Low Crss typical 62pF
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- 100% Avalanche tested
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- ±25V Gate source voltage
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- 40°C/W Thermal resistance, junction to ambient
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- 1.18°C/W Thermal resistance, junction to case
额定电压DC 100 V
额定电流 33.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
上升时间 195 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQB33N10TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STB30NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | FQB33N10TM和STB30NF10T4的区别 |
STB35NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | FQB33N10TM和STB35NF10T4的区别 |
FQB33N10 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQB33N10TM和FQB33N10的区别 |