FQPF8N60C

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FQPF8N60C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 7.50 A

漏源极电阻 1.20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 60.5 ns

输入电容Ciss 1255pF @25VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 64.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2013/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买FQPF8N60C
型号: FQPF8N60C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
替代型号FQPF8N60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQPF8N60C

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

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