FMMT717概述
DIODES INC. FMMT717 单晶体管 双极, PNP, 12 V, 110 MHz, 625 mW, -2.5 A, 475 hFE
The is a PNP silicon power switching Bipolar Transistor offers 625mW power dissipation and extremely low saturation voltage.
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- 10A Peak pulse current
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- Excellent hFE characteristics up to 10A
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- Exhibits extremely low equivalent on resistance
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- NPN complement is FMMT617
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- -55 to 150°C Operating temperature range
FMMT717中文资料参数规格
技术参数
额定功率 625 mW
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 2.5A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 475
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买FMMT717
型号： FMMT717
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：DIODES INC. FMMT717 单晶体管 双极, PNP, 12 V, 110 MHz, 625 mW, -2.5 A, 475 hFE