FMMT591A

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FMMT591A概述

DIODES INC.  FMMT591A  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 150 MHz, 500 mW, -1 A, 300 hFE

The is a PNP silicon planar medium power Bipolar Transistor offers 350mR low equivalent on resistance RCE sat at 1A.

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FMMT491A Complementary NPN type
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-55 to 150°C Operating temperature range

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 1A 3-Pin SOT-23


Newark:
# DIODES INC.  FMMT591A  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 500 mW, -1 A, 300 hFE


FMMT591A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买FMMT591A
型号: FMMT591A
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  FMMT591A  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 150 MHz, 500 mW, -1 A, 300 hFE
替代型号FMMT591A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FMMT591A

Vishay Semiconductor 威世

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PMMT591A

恩智浦

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FMMT591A和PMMT591A的区别

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