F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
### FRAM(铁电 RAM)
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
立创商城:
FM18W08-SG
得捷:
IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
欧时:
F-RAM,Cypress Semiconductor铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
贸泽:
F-RAM 256Kb 70ns 32K x 8 Parallel FRAM
艾睿:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin SOIC Tube
安富利:
NVRAM FRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 28-Pin SOIC
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 28-Pin SOIC
TME:
Memory; FRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 256kbit; 2.7÷5.5VDC; 70ns
Verical:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin SOIC Tube
Win Source:
IC FRAM 256KBIT 70NS 28SOIC
供电电流 12 mA
存取时间 70 ns
内存容量 32000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
长度 18.11 mm
宽度 7.62 mm
高度 2.37 mm
封装 SOIC-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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