FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2582 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 150 V, 0.057 ohm, 10 V, 4 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 150 V
额定电流 4.10 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.29 nF
栅电荷 19.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1290pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS2582 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4848DY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDS2582和SI4848DY-T1-GE3的区别 |
FDS2582_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDS2582和FDS2582_NL的区别 |