PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- .
- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
- .
- High power and current handing capability
- .
- 6kV Typical HBM ESD protection level
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -13.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0077 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 3.84 nF
栅电荷 96.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -13.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3845pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 92 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6679AZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6673BZ 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS6679AZ和FDS6673BZ的区别 |
FDS6679Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS6679AZ和FDS6679Z的区别 |
TPS1100D 德州仪器 | 功能相似 | FDS6679AZ和TPS1100D的区别 |