PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 100 V
额定电流 3.70 A
针脚数 3
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 632 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.2 A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 632pF @50VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.56 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDT3612 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
PHT6NQ10T,135 恩智浦 | 功能相似 | FDT3612和PHT6NQ10T,135的区别 |
BUK9875-100A 恩智浦 | 功能相似 | FDT3612和BUK9875-100A的区别 |
FDT3612_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDT3612和FDT3612_NL的区别 |