FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.7 V
N-Channel 30V 11.5A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
立创商城:
N沟道 30V 11.5A
贸泽:
MOSFET SO-8 N-CH 30V
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.5 A
针脚数 8
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 2.07 nF
栅电荷 19.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 11.5 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2070pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6680 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STS11NF30L 意法半导体 | 功能相似 | FDS6680和STS11NF30L的区别 |