UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is an UItraFET Trench® N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS ON, low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters.
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- Low Miller charge
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- Optimized efficiency at high frequencies
额定电压DC 80.0 V
额定电流 22.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 16.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3.2 V
输入电容 2.49 nF
栅电荷 40.0 nC
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 2490pF @40VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 78W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMS3572 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC057N08NS3 G 英飞凌 | 功能相似 | FDMS3572和BSC057N08NS3 G的区别 |