FDMS7558S

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FDMS7558S概述

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术,RDS(接通)极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7558S, 199 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装


贸泽:
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 32A POWER56


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 32A POWER56


FDMS7558S中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.001 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 7770pF @13VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMS7558S
型号: FDMS7558S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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